¿Qué es?
El SYSCOM PARTS MRF-1517-T1 es un transistor de RF FET de canal N para aplicaciones de banda ancha. Opera hasta 520 MHz y ofrece una potencia de salida de 8 W, con alimentación de 7.5 Vcc. Su encapsulado SMD está pensado para montaje superficial. Entre sus características se encuentran una ganancia de potencia de 11 dB, una eficiencia en RF del 55% y estabilidad térmica.
¿Para qué sirve?
Se utiliza en el diseño de amplificadores de fuente común de gran señal y equipos FM portátiles de 7.5 V. También puede integrarse en proyectos comerciales e industriales de comunicación que operen dentro de su rango de frecuencia.
¿Cómo se compara?
Frente a transistores RF con otros tipos de encapsulado o capacidades de operación, este modelo combina montaje superficial, salida de 8 W y operación hasta 520 MHz. Sus especificaciones lo hacen una opción para diseños que requieren un FET de canal N para amplificación de RF.
Preguntas frecuentes
¿Qué tipo de transistor es el MRF-1517-T1?
Es un transistor de RF FET de canal N con encapsulado SMD para montaje superficial.
¿Cuál es su frecuencia máxima de operación?
Su frecuencia máxima de operación es de 520 MHz.
¿Qué alimentación requiere?
El voltaje de operación indicado para este transistor es de 7.5 Vcc.
¿En qué aplicaciones se puede utilizar?
Está indicado para amplificadores de fuente común de gran señal, equipos FM portátiles de 7.5 V y aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha.
¿Qué capacidad de manejo de VSWR se indica?
Los datos del producto indican manejo de VSWR 20:1 bajo las condiciones especificadas: 9.5 Vcc, 520 MHz y 2 dB de sobremodulación.
Datos del producto
- Modelo
- MRF-1517-T1
- ID de producto
- 24113
- Marca
- SYSCOM PARTS
- Categoría
- Radiocomunicación
- Clave SAT
- 32111600 · Transistores
- Peso
- 0.01 kg
