Descripción
Transistor de Potencia NPN en Silicio Este transistor NPN de silicio está diseñado para aplicaciones de alta potencia que demandan control eficiente de corriente y voltaje. Su arquitectura permite manejar hasta 15 A de corriente de colector con una disipación térmica de 80 W, manteniendo una baja caída de voltaje en saturación de 1.0 V que minimiza las pérdidas energéticas. El encapsulado TO-3PM garantiza una instalación robusta y una disipación de calor óptima en entornos industriales. Es ideal para sistemas de conmutación, inversores de alta frecuencia, generadores ultrasónicos y etapas de amplificación de potencia. Características Principales Transistor NPN de silicio para alta potencia Voltaje colector-base (V CBO ) hasta 500 V Corriente máxima de colector (I C ) de 15 A Disipación de potencia (P C ) hasta 80 W Baja caída de voltaje en saturación V CE(sat) : 1.0 V Encapsulado TO-3PM para alta confiabilidad térmica Aplicaciones Típicas Reguladores de switcheo (SMPS) Inversores de alta frecuencia Generadores ultrasónicos Amplificadores de potencia de uso general Especificaciones Técnicas Voltaje Colector-Base V CBO = 500 V Voltaje Colector-Emisor V CEO = 400 V Voltaje Emisor-Base V EBO = 7 V Corriente de Colector I C = 15 A Disipación de Potencia P C = 80 W Tensión de Ruptura V (BR)CEO 400 V Tensión de Ruptura V (BR)CBO 500 V V CE(sat) Saturación 1.0 V (I C =6A, I B =1.2A) V BE(sat) Saturación 1.5 V (I C =6A, I B =1.2A) Corriente de Fuga I CBO 1.0 mA (V CB =500V, I E =0) Encapsulado TO-3PM
Datos del producto
- Modelo
- 2SC-3320
- ID de producto
- 4202
- Marca
- SYSCOM PARTS
- Categoría
- Radiocomunicación
- Clave SAT
- 32111600 · Transistores
- Peso
- 0.01 kg
