Descripción
Transistor de potencia NPN en silicio diseñado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y media potencia. Soporta tensiones de hasta 500 V entre colector y base con corrientes de pico de 15 A, integrando tecnología de conmutación rápida que minimiza las pérdidas por switching. Su encapsulado TO-3PB garantiza disipación térmica eficiente y operación estable en entornos industriales exigentes. Especialmente indicado para fuentes conmutadas, inversores y equipos de ultrasonido donde la velocidad de respuesta y la confiabilidad térmica son críticas. Características Principales Conmutación ultrarrápida: tiempo de encendido 0.5 μs, almacenamiento 1.5 μs, caída 0.15 μs Encapsulado TO-3PB para alta confiabilidad mecánica y térmica Resistencia térmica unión-carcasa de 1.56 °C/W Temperatura de unión máxima de 150 °C Voltaje de saturación colector-emisor de 1.0 V a 6 A Aplicaciones: reguladores SMPS, generadores ultrasónicos, inversores Especificaciones Técnicas Voltajes Máximos V CBO : 500 V V CEO : 400 V V EBO : 7 V Corrientes Máximas I C : 15 A I B : 5 A Potencia y Disipación P C : 80 W (T C = 25 °C) R th(j-c) : 1.56 °C/W Voltajes de Saturación V CE(sat) : 1.0 V (I C = 6 A, I B = 1.2 A) V BE(sat) : 1.5 V (I C = 6 A, I B = 1.2 A) Ganancia de Corriente h FE : 10 mín. (I C = 6 A, V CE = 5 V) Tiempos de Conmutación T on : 0.5 μs T s : 1.5 μs T f : 0.15 μs Temperaturas T j máx.: 150 °C T stg : -65 °C a 150 °C Encapsulado TO-3PB Aplicaciones Típicas Reguladores de conmutación (SMPS) Generadores ultrasónicos Inversores DC-AC
Datos del producto
- Modelo
- 2SC-3451
- ID de producto
- 213774
- Marca
- Syscom
- Categoría
- Radiocomunicación
- Clave SAT
- 32111600 · Transistores
- Peso
- 0.01 kg
