Descripción
Este MOSFET de canal-N está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia que exigen alta eficiencia y confiabilidad. Con una capacidad de 500 V y 32 A, integra tecnología avanzada que permite operar en frecuencias superiores a 150 kHz con mínimas pérdidas. Su baja resistencia Rds(on) de 0.15 Ω reduce significativamente la disipación térmica durante la conducción. El encapsulado TO-247AC facilita la extracción de calor hacia disipadores externos. Es compatible tanto con conmutación dura como suave, adaptándose a diversas topologías de convertidores. Características principales Tensión de drenaje-fuente (V DSS ): 500 V Corriente de drenaje continua (I D ): 32 A Resistencia de conducción Rds(on): 0.15 Ω Encapsulado TO-247AC para disipación térmica eficiente Optimizado para conmutación de alta frecuencia (>150 kHz) Tecnología avanzada para conmutación dura y suave Especificaciones técnicas Tipo de canal Canal-N V DSS máxima 500 V I D continua 32 A Rds(on) 0.15 Ω Encapsulado TO-247AC Frecuencia de conmutación >150 kHz Aplicaciones típicas Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) Conmutación de potencia de alta velocidad Circuitos de conmutación dura y alta frecuencia Convertidores de potencia DC-DC y DC-AC
Datos del producto
- Modelo
- IRFP-32N-50KPBF
- ID de producto
- 225473
- Marca
- SYSCOM PARTS
- Categoría
- Radiocomunicación
- Clave SAT
- 32111603 · Transistores mos de efecto de campo (mosfet)
- Peso
- 0.03 kg
