Descripción
Transistor de potencia MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control en equipos de análisis electrónico. Este dispositivo ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 0.14 Ω que minimiza las pérdidas por conducción, permitiendo operación eficiente con corrientes elevadas hasta 18 A. Su encapsulado TO-220AB facilita la integración en diseños de PCB through-hole con disipación térmica directa, resultando ideal para entornos de laboratorio y equipos de prueba como analizadores de circuitos. Características principales MOSFET canal P con tecnología de óxido metálico Voltaje drenaje-fuente (V DSS ): 50 V Corriente continua de drenaje: 18 A @ 25°C Resistencia R DS(on) máxima: 140 mΩ @ 9.3 A, 10 V Disipación de potencia máxima: 74 W Capacitancia de entrada (C iss ): 900 pF @ 25 V Carga de compuerta (Q g ): 39 nC @ 10 V Voltaje umbral V GS(th) : 4 V máx. @ 250 µA Voltaje compuerta-fuente máximo: ±20 V Rango de temperatura de unión: -55°C ~ 150°C Montaje: Through hole, encapsulado TO-220AB Especificaciones técnicas Tipo de FET P-Channel MOSFET V DSS 50 V I D @ 25°C 18 A (T C ) R DS(on) máx. 140 mΩ @ 9.3 A, 10 V Voltaje de drive 10 V (máx. R DS on , mín. R DS on ) V GS(th) máx. 4 V @ 250 µA Q g máx. @ V GS 39 nC @ 10 V V GS máx. ±20 V C iss máx. @ V DS 900 pF @ 25 V Disipación máx. 74 W (T C ) Temperatura operación -55°C ~ 150°C (T J ) Encapsulado TO-220AB, Through hole
Datos del producto
- Modelo
- IRF9Z30
- ID de producto
- 19562
- Marca
- Syscom
- Categoría
- Radiocomunicación
- Clave SAT
- 32111602 · Transistor de efecto de campo (fet)
- Medidas (alto × largo × ancho)
- 4 × 15 × 11 cm
- Peso
- 0.01 kg
