Descripción
Este transistor MOSFET de doble puerta con canal N está diseñado para aplicaciones que demandan alta eficiencia y control preciso del flujo eléctrico. Su arquitectura de doble puerta permite una modulación superior de la señal, resultando ideal para circuitos de radiofrecuencia y comunicaciones. Opera eficientemente en bandas de frecuencia de hasta 105 MHz, garantizando estabilidad térmica y eléctrica en condiciones exigentes. El encapsulado TO-18 ofrece una construcción compacta y mecánicamente resistente, facilitando su integración en equipos profesionales de telecomunicaciones, instrumentación y sistemas de RF. Características Principales Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia Canal N para control preciso del flujo eléctrico Frecuencia máxima de operación de 105 MHz Encapsulado TO-18 compacto y resistente Alto aislamiento con tecnología avanzada de interfaz Diseño optimizado para aplicaciones de alta frecuencia Especificaciones Técnicas Tipo de Dispositivo Transistor MOSFET Configuración de Puerta Doble Puerta Tipo de Canal Canal N Frecuencia Máxima 105 MHz Encapsulado TO-18 Aislamiento Alto (tecnología de interfaz avanzada)
Datos del producto
- Modelo
- MFE130
- ID de producto
- 23665
- Marca
- Syscom
- Categoría
- Radiocomunicación
- Clave SAT
- 32111607 · Transistores bipolares de radiofrecuencia (rf) o darlington
- Medidas (alto × largo × ancho)
- 1 × 1 × 1 cm
- Peso
- 0.01 kg
