Descripción
Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI para ofrecer una utilización óptima del silicio y un rendimiento excepcional. Estos transistores están diseñados para su uso en reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Su capacidad de operación directa desde circuitos integrados simplifica el diseño de circuitos y reduce la complejidad del sistema. Características principales Tecnología MegaFET para rendimiento superior Optimización del silicio con proceso similar a LSI Diseñado para reguladores y convertidores de conmutación Compatible con controladores de motores y relés Operación directa desde circuitos integrados Encapsulado TO-220AB estándar de la industria Especificaciones técnicas Tipo de canal N Corriente de drenaje 50 A Voltaje drenaje-fuente 60 V Encapsulado TO-220AB Tecnología de fabricación MegaFET / Proceso LSI Aplicaciones típicas Reguladores de conmutación (SMPS) Convertidores DC-DC Controladores de motores Controladores de relés Circuitos de conmutación de potencia
Datos del producto
- Modelo
- 50-N-06
- ID de producto
- 72995
- Marca
- SYSCOM PARTS
- Categoría
- Radiocomunicación
- Clave SAT
- 32111602 · Transistor de efecto de campo (fet)
- Peso
- 0.01 kg
