Descripción
Transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y control de potencia en equipos electrónicos industriales. Soporta tensiones de operación de hasta 200 V con capacidad de corriente continua de 18 A, permitiendo su uso en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y controladores de motores. La disipación máxima de potencia de 125 W garantiza estabilidad térmica en condiciones de carga elevada. El encapsulado TO-220AB facilita la instalación mecánica y la conexión a disipadores de calor convencionales, optimizando la gestión térmica en diseños compactos. Características Generales • Tipo: MOSFET Canal N • Voltaje drenaje-fuente (V DSS ): 200 V • Corriente continua de drenaje (I D ): 18 A • Disipación de potencia máxima (P D ): 125 W • Encapsulado: TO-220AB • Aplicación: Conmutación de alta velocidad Desempeño Eléctrico Voltaje drenaje-fuente: 200 V Corriente de drenaje: 18 A Disipación de potencia: 125 W Físicas y Térmicas Encapsulado: TO-220AB Montaje: Through-hole con orificio Compatible con disipadores estándar Contenido del Paquete 1 × Transistor MOSFET IRF640
Datos del producto
- Modelo
- IRF-640
- ID de producto
- 19558
- Marca
- Syscom
- Categoría
- Radiocomunicación
- Clave SAT
- 32101500 · Conjuntos de circuitos y componentes de radiofrecuencia (RF)
- Peso
- 0.01 kg
