Descripción
MOSFET de canal N fabricado con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics, diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de puerta. Este componente de potencia soporta 200 V y 40 A con disipación de 160 W, resultando adecuado como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados avanzados de alta eficiencia. Su arquitectura optimizada para conmutación de alta velocidad lo posiciona como solución preferente en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y sistemas de gestión energética industrial donde se requieren transiciones rápidas y pérdidas mínimas de conmutación. Características Generales • Tipo: MOSFET Canal-N • Voltaje drenaje-fuente (V DSS ): 200 V • Corriente continua de drenaje (I D ): 40 A • Disipación de potencia: 160 W • Proceso de fabricación: STripFET • Encapsulado: TO-220AB • Aplicación primaria: Interruptor en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia Desempeño Eléctrico Voltaje máximo: 200 V Corriente máxima: 40 A Potencia disipación: 160 W Capacitancia de entrada minimizada Carga de puerta reducida Físico / Mecánico Encapsulado: TO-220AB Montaje: A través de orificio (THT) Compatible con disipadores estándar Terminales: Drenaje, Fuente, Puerta Contenido del Paquete 1 × MOSFET STP40N20 Encapsulado TO-220AB
Datos del producto
- Modelo
- STP-40N20
- ID de producto
- 250535
- Marca
- SYSCOM PARTS
- Categoría
- Radiocomunicación
- Clave SAT
- 32101500 · Conjuntos de circuitos y componentes de radiofrecuencia (RF)
- Peso
- 0.01 kg
