Descripción
Diodo de silicio de recuperación estándar diseñado para aplicaciones de potencia en fuentes de alimentación y sistemas de energía. Ofrece una corriente directa continua de 35 A con un voltaje directo de 1.2 V, optimizando la eficiencia en conversión de potencia. Su encapsulado DO-5 con cátodo en la base facilita la identificación y montaje correcto en circuitos de alta corriente. Opera en un rango térmico extendido de -55°C a +150°C, garantizando confiabilidad en condiciones ambientales exigentes. Características Principales Alta capacidad de sobrecarga de 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal) No sensitivo a descargas electrostáticas (ESD) Resistencia térmica de 0.25°C/W (junto a carcaza) Voltaje repetitivo de pico inverso de 100 V Corriente inversa de 10 μA (VR = 50 V, TJ = 25°C) Encapsulado DO-5 (DO-203AB) con cátodo en base Especificaciones Técnicas Eléctricas Voltaje repetitivo de pico inverso: 100 V Voltaje inverso RMS: 70 V Voltaje de bloqueo DC: 100 V Corriente directa continua: 35 A Corriente de sobrecarga: 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal) Voltaje directo: 1.2 V (IF = 35 A, TJ = 25°C) Corriente inversa: 10 μA (VR = 50 V, TJ = 25°C) Térmicas y Mecánicas Resistencia térmica (junto a carcaza): 0.25°C/W Temperatura de operación: -55°C a +150°C Temperatura de almacenamiento: -55°C a +150°C Encapsulado: DO-5 (DO-203AB) Polaridad: Cátodo en base Aplicaciones Fuentes de alimentación, sistemas de energía, rectificación de potencia, protección de circuitos y equipos industriales que requieren alta capacidad de sobrecarga y operación confiable en amplios rangos térmicos.
Datos del producto
- Modelo
- 1N1184A
- ID de producto
- 2742
- Marca
- Syscom
- Categoría
- Radiocomunicación
- Clave SAT
- 32111500 · Diodos
